研究会一覧
MEETINGS
第16回研究会 低温プラズマのL CDプロセスへの展開
平成4年2月14日(金) 弘済会館
| プログラム |
| アモルファスシリコン成長時におけるパウダー、パーティクル生成とその制御 |
| 電子技術総合研究所 松田彰久 |
| スパッタ法による高移動度Poly－SiTFTの製作 |
| NT T境界領域研究所 芹川正、白井誠一、岡本章雄、陶山史朗 |
| ECRプラズマCVD法によるa－Si：HおよびSiNx薄膜の低温形成 |
| 松下電器産業(株)中央研究所 北川雅俊、平尾孝 |
| 低圧高周波プラズマ生成によるイオンビーム発生 |
| 日新電機(株)研究開発本部 安東靖典 |
| 大面積イオンドーピング非晶質シリコン薄膜トランジスタのスイッチング特性 |
| シャープ(株)液晶事業本部液晶研究所 三谷康弘、田仲広久、森本弘、石井三男、粟根克昶 |
| ITO膜の反応性イオンエッチング機構 |
| 広島大学工学部 坂上弘之、古藤誠、堀池靖浩 |
| a－SiTFTにおけるドライエッチングプロセス |
| (株)東芝生産技術研究所 巴月良一 |