委員紹介

MEMBERS

http://hyoka.ofc.kyushu-u.ac.jp/search/details/K003622/

1. 希少金属を使わない光・電子デバイスの作製：
   プラズマを用いた新しい結晶成長技術により、レアメタル系材料に匹敵する高品質なZnO半導体膜を作製することに成功しています．
2. 量子井戸型太陽電池の開発：
   "酸窒化物半導体"という新材料と"ピエゾ誘起バンドエンジニアリング"により、太陽電池の飛躍的な光電変換効率の向上と低コスト化を目指しています．
3. 光をスイッチングするエキシトントランジスタの創成：
   半導体中のエキシトン流を利用し，光信号処理の高速可・低消費電力可・高集積可を可能にする革新的デバイスを創成します．

1. 板垣他，”スパッタリング成膜法による高品質酸化亜鉛薄膜の形成”，応用物理, 83巻，5号， p. 385　(2014)
2. N. Itagaki et al., “Highly Conducting Very Thin ZnO:Al Films with ZnO Buffer Layer Fabricated by Solid Phase Crystallization from Amorphous Phase”, Appl. Phys. Express, vol. 4, no. 1, p. 011101 (2011)
3. N. Itagaki et al., “Zn-In-O based thin-film transistors: Compositional dependence”, Phys. Stat. Sol.(a) vol. 205, no. 8, p. 1915 (2008)
4. 板垣他, “多重量子井戸型太陽電池および多重量子井戸型太陽電池の製造方法”,特許第5366279号, 2013年9月20日登録
5. 板垣他，”薄膜トランジスタ”, 特許第5213507号,2013年3月8日登録