委員紹介

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名古屋大学大学院工学研究科 附属プラズマナノ工学研究センター

http://www.nuee.nagoya-u.ac.jp/labs/horilab/top.html

1. 統合解析によるデータベース構築と高精度プロセス制御技術の研究：
   反応性プラズマプロセスの気相、表面反応素過程を探求し，高精度にプロセスを制御する技術を実現します．
2. 高性能プラズマプロセス（エッチング、CVD）の研究：
   将来の最先端半導体デバイス， MEMS ，バイオデバイスを実現するナノメーター精度のプロセス技術を研究開発します．
   
   

1. M.Sekine; "Dielectric film etching in semiconductor device manufacturing, Development of SiO2 etching and the next generation plasma reactor"   Applied Surface Science 192, 270 (2002).
2. 関根　誠; "プラズマエッチング装置技術開発の経緯,課題と展望(<小特集>材料プロセス用フルオロカーボンプラズマ-現状と展望-) " Journal of plasma and fusion research 83, 319 (2007).
3. C. S. Moon, K. Takeda, M. Sekine, Y. Setsuhara, M. Shiratani, M. Hori; "Combinatorial Plasma Etching Process" Applied Physics Express 2, 096001 (2009).
4. S. Chen, K. Ishikawa, Y. Lu, R. Kometani, H. Kondo, Y. Tokuda, T. Egawa, H. Amano, M. Sekine, M. Hori; "Individual Roles of Atoms and Ions during Hydrogen Plasma Passivation of Surface Defects on GaN Created by Plasma Etching" Jpn. J. Appl. Phys. 51, 111002 (2012).
5. Y. Abe, S. Kawashima, A. Fukushima, Y. Lu, K. Takeda, H. Kondo, K. Ishikawa, M. Sekine, and M. Hori; Impact of Hydrogen radical-injection plasma on fabrication of microcrystalline silicon thin film for solar cells" J. Appl. Phys. 113, 033304 (2013).