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第83回研究会 DLCシリｰズ3回目 実用プラズマプロセス技術の最前線
～カｰボン系とシリコン系プロセスの違いは何だ?～
平成19年11月19日(月) 弘済会館
| プログラム | |
| 13:00-13:45 | 基調講演 Si系薄膜とC系薄膜 -プラズマからの成長プロセスの違い- |
| 大阪大学大学院基礎工学研究科 松田 彰久 | |
| 13:45-14:30 | DLCの構造解析の課題 |
| 神奈川県産業技術センタｰ 熊谷 正夫 | |
| 14:30-15:15 | 表面反応,水素含有量,Si-DLC,フレキシブルDLC |
| 1長崎大学工学部電気電子工学科,篠原 正典1, 2長崎大学大学院生産科学研究科,藤山 寛2, 3トｰヨｰエイテック(株)中谷 達行2,3 |
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| 15:15-15:30 | 休憩 |
| 15:30-16:15 | パルスプラズマによるDLCの合成とトライボロジｰ特性評価 |
| 名古屋大学大学院工学研究科 マテリアル理工学専攻 大竹 尚登 | |
| 16:15-17:00 | 応用,ガスバリア,医療機器 -シリコンとカｰボン- |
| 東京電機大学工学部電気電子工学科 平栗 健二 | |