研究会一覧
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 (定例研究会)
            第159回研究会
            『半導体製造のプラズマプロセスにおける低ダメージ化技術と評価手法』 
          
          | 日 時: | 2022年10月18日(火) | 
| 会 場: | プラザエフ(JR「四ツ谷駅」 麹町口 徒歩1分),会議室名:スズラン(9F) | 
| 開催形式: | オンサイトのみ | 
| 趣 旨: | 現代は高度情報化社会であり,多種多様の電子機器が至るところで利用されている。電子機器の心臓部には大規模集積回路(ULSI)などの超微細の構造物が高度な加工技術で作り込まれている。プラズマを用いた微細な材料の加工技術には,スパッタリングなどによる薄膜堆積やエッチングなどが挙げられる。例えばエッチング工程においては,高エネルギーのイオンを利用し材料の垂直加工を行うが,加工対象となる材料へのイオン衝突により材料には欠陥が形成される。材料中の欠陥は,ULSIの電気的な動作特性や信頼性の寿命を劣化させる要因となる。そのため,最先端の微細加工においては,3次元の構造物に対する最小加工寸法の低減化だけではなく,材料へのダメージの低減化が必要とされている。材料の微細加工に用いられるプラズマのダメージに関する,これまでの基礎的な知見を共有するため,基礎講座を行った後に,最新の研究成果に関して討論できる研究会を検討している。 | 
| 開催通知PDF: | こちら (要ID、パスワード) | 
| プログラム(敬称略) | |
| 13:00-13:15 | 総会 | 
| 13:15-13:20 | 委員長挨拶  | 
| 13:20-14:20 | (基礎講座)「半導体製造におけるプラズマプロセス由来のダメージとその評価手法」布村 正太(産業技術総合研究所) | 
| 14:20-14:35 | (休憩) | 
| 14:35-15:20 | (招待講演)「ロジックデバイスにおけるプラズマエッチングダメージ低減の検討」伊澤 勝(株式会社日立ハイテクノロジーズ) | 
| 15:20-16:05 | (招待講演)「デバイスメーカーにおけるドライエッチングダメージ低減の最新動向」深沢 正永(ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社) | 
| 16:05-16:20 | (休憩) | 
| 16:20-17:05 | (招待講演)「プラズマダメージによる半導体デバイス特性劣化の電気的解析手法について」 江利口 浩二(京都大) | 
| 17:05-17:25 | 企業紹介(キオクシア,京三製作所) |